MMRF1314HR5

MMRF1314HR5 هو ترانزستور طاقة RF المصنوع من NXP ، مصمم خصيصًا لتطبيقات RF عالية الطاقة. فيما يلي المواصفات التفصيلية لهذا المنتج:

المعايير الأساسية

• نوع المنتج: ترانزستورات RF MOSFET (ترانزستورات التأثير الميداني للمعادن الأكسيدية شبه الموصلة ذات الترددات الراديوية)
• المصنع: NXP
• القطبيةالقناة الـ N
• الحزمة: SOT1787
• التكنولوجيا: LDMOS (أكسيد معدني منتشر جانبي)

المعلمات الكهربائية

• تردد العمل: 1200 إلى 1400 ميغاهرتز
• الطاقة الخارجة: 1000 واط (الذروة)
• المكاسب النموذجية (dB): 15.5 ديسيبل @ 1200 ميغاهرتز (قد تختلف المكاسب المحددة مع التردد)
• فولتاج انقطاع مصدر الصرف (Vds): لم يتم تحديدها بشكل مباشر ، ولكن ترانزستورات LDMOS عادة ما يكون لها فولتاج انقطاع عالية
• التيار المستمر للنفايات (Id): لم يتم تحديدها بشكل مباشر ، ولكن يتم تحديدها من خلال متطلبات التطبيق والتصميم
• الجهد من مصدر البوابة (Vgs): -6 فولت إلى +10 فولت (مدى لتحكم فولتاج البوابة)
• تبديد الطاقة (Pd): لم يحدد مباشرة ولكن يتطلب تصميم جيد لتبديد الحرارة لتطبيقات عالية الطاقة

درجة حرارة العمل

• درجة حرارة العمل القصوى: +150°C
• الحد الأدنى لدرجة حرارة العمل-40 درجة مئوية

خصائص التطبيق

• عملية النطاق العريض: مطابقة المدخلات والإخراجات الداخلية لتشغيل النطاق العريض والاستخدام المريح
• مرونة التكوين: يمكن استخدامه في التكوينات ذات الطرف الواحد أو الدفع والسحب أو التربيع
• صلابة عالية: مناسبة للتطبيقات النبضية ، وخاصة ممتازة في الطاقة العسكرية العالية والتطبيقات الرادارية التجارية L-band

معلومات إضافية

• الحزمة/الحالة: تعبئة SMD/SMT (جهاز سطحي / تكنولوجيا سطحي) ، مناسبة لتكنولوجيا سطحية
• كمية التعبئة: عادةً ما تكون معبأة بكميات معينة (مثل 50 قطعة) لكل وحدة