CY7C1426JV18-300BZCES

Name: CY7C1426JV18-300BZCES
Brand: SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
Availability: InStock

جميع المنتجات

MCU إيك
(217)

موصلات FFC FPC
(3667)

عازف الـ CLOCK FANOUT
(2459)

هدف خاص للصوت
(1050)

اكتساب البيانات المرحلية
(1000)

أجهزة التحكم الداخلي المدمجة
(1000)

واجهة المرحلية
(1000)

آي سي الخطي
(950)

IC المنطقية
(894)

ذاكرة IC
(984)

إدارة الطاقة
(939)

الترددات اللاسلكية واللاسلكية
(995)

أجهزة استشعار الحرارة IC
(1000)

مضاعفات التردد
(934)

IC حماية الدائرة
(992)

أشباه الموصلات المنفصلة
(911)

مكثفات البوليمر
(700)

أجهزة استشعار بالموجات فوق الصوتية
(1000)

الدوائر المتكاملة IC
(1000)

دائرة حماية
(692)

إلكترونيات البصريات
(1000)

أجهزة الاتصال المتكافئة
(400)

منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
(853)

مرشحات السيراميك موراتا
(757)

المحفزات الملفوفة الاختناق
(950)

وصلات MIL Spec
(890)

الدوائر المتكاملة ICS
(27)

ابن دردش الآن

صورة كبيرة : CY7C1426JV18-300BZCES

تفاصيل المنتج: شروط الدفع والشحن:

الوصف:	IC SRAM 36 ميجابايت بالتوازي 165FBGA

اتصل

وصف

الفئة:	الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة	حجم الذاكرة:	36 ميغابت
حالة المنتج:	نشط	نوع التثبيت:	جبل السطح
الحزمة:	الحمولة	مسلسل:	-
DigiKey برمجة:	لم يتم التحقق	واجهة الذاكرة:	موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:	-	حزمة أجهزة المورد:	165-FBGA (15x17)
نوع الذاكرة:	متقلب	مفر:	شركة السرو لأشباه الموصلات
تردد الساعة:	300 ميغا هيرتز	الجهد - الإمدادات:	1.7 فولت ~ 1.9 فولت
الحزمة / الحقيبة:	165 رطل	منظمة الذاكرة:	4 م × 9
درجة حرارة العمل:	0°C ~ 70°C (TA)	التكنولوجيا:	SRAM - متزامن، QDR II
رقم المنتج الأساسي:	CY7C1426	تنسيق الذاكرة:	SRAM