JANS1N5417US/TR

Name: JANS1N5417US/TR
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

جميع المنتجات

MCU إيك
(217)

موصلات FFC FPC
(3667)

عازف الـ CLOCK FANOUT
(2459)

هدف خاص للصوت
(1050)

اكتساب البيانات المرحلية
(1000)

أجهزة التحكم الداخلي المدمجة
(1000)

واجهة المرحلية
(1000)

آي سي الخطي
(950)

IC المنطقية
(894)

ذاكرة IC
(984)

إدارة الطاقة
(939)

الترددات اللاسلكية واللاسلكية
(995)

أجهزة استشعار الحرارة IC
(1000)

مضاعفات التردد
(934)

IC حماية الدائرة
(992)

أشباه الموصلات المنفصلة
(911)

مكثفات البوليمر
(700)

أجهزة استشعار بالموجات فوق الصوتية
(1000)

الدوائر المتكاملة IC
(1000)

دائرة حماية
(692)

إلكترونيات البصريات
(1000)

أجهزة الاتصال المتكافئة
(400)

منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
(853)

مرشحات السيراميك موراتا
(757)

المحفزات الملفوفة الاختناق
(950)

وصلات MIL Spec
(890)

الدوائر المتكاملة ICS
(27)

ابن دردش الآن

صورة كبيرة : JANS1N5417US/TR

تفاصيل المنتج: شروط الدفع والشحن:

الوصف:	ديود جين PURP 200V 3A B SQ-MELF

اتصل

وصف

الفئة:	منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة	حالة المنتج:	نشط
الحالي - عكس التسرب @ Vr:	1 ميكرو أمبير عند 150 فولت	نوع التثبيت:	جبل السطح
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا:	1.5 فولت @ 9 أمبير	الحزمة:	الشريط والفكرة (TR)
مسلسل:	عسكري، MIL-PRF-19500/411	السعة @ Vr ، F:	-
حزمة أجهزة المورد:	ب، مربع-ميلف	وقت الاسترداد العكسي (trr):	150 نانوثانية
مفر:	تكنولوجيا الرقائق	التكنولوجيا:	المعيار
درجة حرارة التشغيل - مفرق:	-65 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية	الحزمة / الحقيبة:	سكو-ميلف، ب
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى):	200 فولت	الحالي - متوسط المعدل (Io):	3A
السرعة:	التعافي السريع = <500ns،> 200mA (Io)