|
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات FETs، MOSFETs، FETs المفردة، MOSFETs | ميزة FET: | - |
|---|---|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9 فولت عند 200 ميكرو أمبير | درجة حرارة العمل: | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ) |
| الحزمة / الحقيبة: | TO-220-3 | بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs: | 25 نانو سي @ 10 فولت |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: | 950 مللي أوم عند 2.8 أمبير، 10 فولت | نوع FET: | قناة N |
| محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): | 10 فولت | الحزمة: | أنبوب |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): | 650 فولت | Vgs (ماكس): | ± 20 فولت |
| حالة المنتج: | قديمة | سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds: | 490 بيكو فاراد عند 25 فولت |
| نوع التثبيت: | من خلال الثقب | مسلسل: | CoolMOS ™ |
| حزمة أجهزة المورد: | PG-TO220-3-1 | مفر: | تقنيات إنفينيون |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: | 4.5 أمبير (ح) | تبديد الطاقة (الحد الأقصى): | 50 واط (ح) |
| التكنولوجيا: | MOSFET (أكسيد المعادن) | رقم المنتج الأساسي: | SPP04N |
القناة الوطنية 650 فولت 4.5A (Tc) 50W (Tc) من خلال الثقب PG-TO220-3-1
اتصل شخص: Miss. Coral
الهاتف :: +86 15211040646
Arabic
