|
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT | التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): | 430 أ |
|---|---|---|---|
| حالة المنتج: | قديمة | نوع التثبيت: | جبل الهيكل |
| الحزمة: | الحمولة | مسلسل: | - |
| الحزمة / الحقيبة: | وحدة | Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: | 2.25 فولت @ 15 فولت، 300 أمبير |
| الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): | 1200 فولت | حزمة أجهزة المورد: | وحدة |
| مفر: | SemiQ | درجة حرارة العمل: | -40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ) |
| التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): | 1 mA | نوع IGBT: | - |
| أقصى القوة: | 1630 واط | المدخلات: | المعيار |
| سعة الإدخال (Cies) @ Vce: | 30 نانو فهرنهايت @ 25 فولت | التكوين: | ثلاث مراحل العاكس |
| NTC الثرمستور: | نعم.. | رقم المنتج الأساسي: | GSID300 |
وحدة IGBT عاكس ثلاثي المراحل 1200 فولت 430 A 1630 W وحدة تركيب الهيكل
اتصل شخص: Liu Guo Xiong
الهاتف :: +8618200982122
الفاكس: 86-755-8255222